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IRF7416TRPBF
器件3D模型
0.2
IRF7416TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF7416TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.02 Ω
极性
P-CH
功耗
2.5 W
阈值电压
2.04 V
输入电容
1700 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
10A
上升时间
49 ns
输入电容值(Ciss)
1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7416TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7416TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF7416 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -30V , RDS(ON) = 0.02ohm ) Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)
TT Electronics Resistors
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7416TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, 10A
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7416PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 20 mohm, 10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V
International Rectifier(国际整流器)
-30V,-10A,P沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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