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Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF7832TRPBF Datasheet 文档
IRF7832TRPBF
器件3D模型
0.304
IRF7832TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7832TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
20.0 A
封装
SOIC-8
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
IRF7832
阈值电压
2.32 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
12.3 ns
输入电容值(Ciss)
4310pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W

IRF7832TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
宽度
3.9 mm

IRF7832TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.25 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.25 MByte

IRF7832 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7832TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7832PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4 mohm, 10 V, 2.32 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 20A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
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