￥ 0.683

IRF840PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

VISHAY IRF840PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF840PBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF840PBF 数据手册 (8 页)

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IRF840PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-220

额定功率

125 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.85 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

4 V

输入电容

1300pF @25V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125 W

View Datasheet >

IRF840PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

View Datasheet >

IRF840PBF 符合标准

IRF840PBF 海关信息

IRF840PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.27 MByte

IRF840PBF 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.25 MByte

IRF840PBF 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.06 MByte

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