￥ 0.538

IRFB4110PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRFB4110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFB4110PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFB4110PBF 数据手册 (9 页)

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IRFB4110PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

370 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0045 Ω

极性

N-CH

功耗

370 W

阈值电压

4 V

输入电容

9620 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

180A

上升时间

67 ns

输入电容值(Ciss)

9620pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

370 W

下降时间

88 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

370W (Tc)

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IRFB4110PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.82 mm

高度

9.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFB4110PBF 符合标准

IRFB4110PBF 海关信息

IRFB4110PBF 概述

IRFB4110PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.33 MByte

IRFB4110PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFB4110PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFB4110PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFB4110PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFB4110PBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRFB4110PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.09 MByte

IRFB4110PBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.14 MByte

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INFINEON IRFB4110GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 180A, TO-220AB

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