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IRFB4227PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRFB4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFB4227PBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

IRFB4227PBF 数据手册 (8 页)

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IRFB4227PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

190 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0197 Ω

极性

N-Channel

功耗

330 W

阈值电压

5 V

输入电容

4600 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

65A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

4600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

330 W

下降时间

31 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

330W (Tc)

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IRFB4227PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.66 mm

宽度

4.82 mm

高度

9.02 mm

工作温度

-40℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFB4227PBF 符合标准

IRFB4227PBF 概述

IRFB4227PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.27 MByte

IRFB4227PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFB4227PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFB4227PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFB4227PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFB4227PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.09 MByte

IRFB4227 数据手册

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200V,65A,24mΩ,N沟道功率MOSFET

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