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IRFL9014TRPBF
0.214
IRFL9014TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRFL9014TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
额定功率
3.1 W
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.5 Ω
极性
P-Channel
功耗
2 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
1.8A
上升时间
63 ns
输入电容值(Ciss)
270pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
31 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRFL9014TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2500

IRFL9014TRPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.16 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.16 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.58 MByte

IRFL9014 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFL9014  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.8 A, -60 V, 500 mohm, -10 V, -2 V
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFL9014TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -60 V, 0.5 ohm, -10 V, -2 V
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFL9014PBF..  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -60 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
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