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IRFP3206PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON IRFP3206PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFP3206PBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

IRFP3206PBF 数据手册 (8 页)

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IRFP3206PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

280 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0024 Ω

极性

N-CH

功耗

280 W

阈值电压

4 V

输入电容

6540pF @50V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

200A

上升时间

82 ns

输入电容值(Ciss)

6540pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

280 W

下降时间

83 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

280000 mW

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IRFP3206PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFP3206PBF 符合标准

IRFP3206PBF 概述

IRFP3206PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.29 MByte

IRFP3206PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFP3206PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFP3206PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFP3206PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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N沟道,60V,200A,3mΩ@10V

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