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IRFP4368PBF
1.578
IRFP4368PBF 数据手册 (8 页)
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IRFP4368PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
520 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.00146 Ω
极性
N-Channel
功耗
520 W
阈值电压
4 V
输入电容
19230 pF
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75 V
连续漏极电流(Ids)
350A
上升时间
220 ns
输入电容值(Ciss)
19230pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
520 W
下降时间
260 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
520W (Tc)

IRFP4368PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFP4368PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFP4368 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFP4368PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 350 A, 75 V, 0.00146 ohm, 20 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,75V,350A,1.85mΩ@10V
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