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IRFP4668PBF
2.129
IRFP4668PBF 数据手册 (5 页)
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IRFP4668PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
漏源极电阻
9.7 mΩ
极性
N-Channel
功耗
520 W
零部件系列
IRFP4668
阈值电压
5 V
输入电容
10720pF @50V
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
130 A
输入电容值(Ciss)
10720pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
520 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFP4668PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
15.87 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFP4668PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
5 页 / 0.25 MByte

IRFP4668 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFP4668PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 200 V, 0.008 ohm, 30 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
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