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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IRFR5410TRPBF Datasheet 文档
IRFR5410TRPBF
￥ 0.185

IRFR5410TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IRFR5410TRPBF 数据手册 (11 页)
封装尺寸在8 页9 页
IRFR5410TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRFR5410TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
66 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.205 Ω
极性
P-CH
功耗
66 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
13A
上升时间
58 ns
输入电容值(Ciss)
760pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
66 W
下降时间
46 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
66W (Tc)
View Datasheet >

IRFR5410TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRFR5410TRPBF 数据手册

IRFR5410TRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.26 MByte
IRFR5410TRPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRFR5410TRPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.31 MByte
IRFR5410TRPBF 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
IRFR5410TRPBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IRFR5410TRPBF 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.17 MByte
IRFR5410TRPBF 其他参考文件
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.15 MByte

IRFR5410 数据手册

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HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。
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P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V
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晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -100 V, 0.205 ohm, -10 V, -4 V
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