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IRLML6401TRPBF
0.048
IRLML6401TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRLML6401TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
1.3 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.3 W
阈值电压
550 mV
输入电容
830 pF
漏源极电压(Vds)
12 V
连续漏极电流(Ids)
4.3A
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
830pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.3 W
下降时间
210 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.3W (Ta)

IRLML6401TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLML6401TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

IRLML6401 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML6401TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV
International Rectifier(国际整流器)
-4.3A,-12V,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML6401PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV
International Rectifier(国际整流器)
IRLML6401TR P沟道MOS场效应管 -430mA 0.050ohm SOT-23 marking/标记 F1/F3/F4/F5/F6/FB/FE 超低导通电阻 薄型封装
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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