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器件3D模型
¥ 3.304
ISO5852SDWR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-16
描述:
TEXAS INSTRUMENTS ISO5852SDWR 芯片, 隔离晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET驱动器, 5.5V, SOIC
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
产品图
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ISO5852SDWR 数据手册 (37 页)
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ISO5852SDWR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
2.25V (min)
封装
SOIC-16
上升/下降时间
18ns, 20ns
输出接口数
2 Output
输出电压
15V ~ 30V
通道数
1 Channel
针脚数
16 Position
功耗
1.255 W
上升时间
18 ns
隔离电压
5700 Vrms
下降时间
20 ns
下降时间(Max)
37 ns
上升时间(Max)
35 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1255 mW
电源电压
15V ~ 30V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
2.25 V
View Datasheet >
ISO5852SDWR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 125℃
View Datasheet >
ISO5852SDWR 符合标准
ISO5852SDWR 海关信息
ISO5852SDWR 数据手册
ISO5852SDWR
数据手册
TI(德州仪器)
37 页 / 1.52 MByte
ISO5852SDWR
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
19 页 / 0.47 MByte
ISO5852SDWR
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
40 页 / 1.17 MByte
ISO5852SDWR
开发手册
TI(德州仪器)
32 页 / 1.52 MByte
ISO5852 数据手册
ISO5852
SDWR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS ISO5852SDWR 芯片, 隔离晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET驱动器, 5.5V, SOIC
ISO5852
SDW
数据手册
TI(德州仪器)
具有分离输出和保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
ISO5852
SQDWRQ1
数据手册
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT驱动器, AEC-Q100, 2.25 V至5.5 V电源, 2.5 A & 5 A输出, 110 ns继电器, SOIC-16
ISO5852
SEVM
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS ISO5852SEVM 评估板, IGBT门驱动器, 2.5A源/5A漏
ISO5852
SQDWQ1
数据手册
TI(德州仪器)
具有保护功能的汽车类 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
ISO5852
S-Q1
数据手册
TI(德州仪器)
ISO5852S-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有分离输出
ISO5852
S
数据手册
TI(德州仪器)
ISO5852S 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有分离输出
ISO5852
S-EP
数据手册
TI(德州仪器)
ISO5852S-EP CMTI 较高的 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器
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