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ISO5852SDWR
器件3D模型
3.304
ISO5852SDWR 数据手册 (37 页)
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ISO5852SDWR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
2.25V (min)
封装
SOIC-16
上升/下降时间
18ns, 20ns
输出接口数
2 Output
输出电压
15V ~ 30V
通道数
1 Channel
针脚数
16 Position
功耗
1.255 W
上升时间
18 ns
隔离电压
5700 Vrms
下降时间
20 ns
下降时间(Max)
37 ns
上升时间(Max)
35 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1255 mW
电源电压
15V ~ 30V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
2.25 V

ISO5852SDWR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

ISO5852SDWR 数据手册

TI(德州仪器)
37 页 / 1.52 MByte
TI(德州仪器)
19 页 / 0.47 MByte
TI(德州仪器)
40 页 / 1.17 MByte
TI(德州仪器)
32 页 / 1.52 MByte

ISO5852 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ISO5852SDWR  芯片, 隔离晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET驱动器, 5.5V, SOIC
TI(德州仪器)
具有分离输出和保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT驱动器, AEC-Q100, 2.25 V至5.5 V电源, 2.5 A & 5 A输出, 110 ns继电器, SOIC-16
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ISO5852SEVM  评估板, IGBT门驱动器, 2.5A源/5A漏
TI(德州仪器)
具有保护功能的汽车类 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
ISO5852S-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有分离输出
TI(德州仪器)
ISO5852S 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有分离输出
TI(德州仪器)
ISO5852S-EP CMTI 较高的 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器
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