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L6384ED
器件3D模型
1.161
L6384ED 数据手册 (18 页)
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L6384ED 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
0.4 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
11.5V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
50ns, 30ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
功耗
0.75 W
上升时间
50 ns
输出电流(Max)
0.65 A
下降时间
30 ns
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
50 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-45 ℃
耗散功率(Max)
750 mW
电源电压
14.6V ~ 16.6V
电源电压(Max)
16.6 V
电源电压(Min)
11.5 V

L6384ED 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-45℃ ~ 125℃ (TJ)

L6384ED 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.32 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.16 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.7 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
50 页 / 1.56 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
27 页 / 1.02 MByte

L6384 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  L6384ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 11.5V-16.6V电源, 650mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
L6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
L6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - DIP-8
ST Microelectronics(意法半导体)
HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
门驱动器 Hi-Volt Half Bridge
ST Microelectronics(意法半导体)
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