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LM258P
器件3D模型
0.303
LM258P 数据手册 (41 页)
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LM258P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
工作电压
3V ~ 30V
封装
DIP-8
输出电流
30mA @15V
供电电流
1 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
共模抑制比
70 dB
输入补偿漂移
7.00 µV/K
带宽
700 kHz
转换速率
300 mV/μs
增益频宽积
700 kHz
输入补偿电压
3 mV
输入偏置电流
20 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-25 ℃
增益带宽
0.7 MHz
共模抑制比(Min)
70 dB
电源电压
3V ~ 30V
电源电压(Max)
32 V
电源电压(Min)
3 V

LM258P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.81 mm
宽度
6.35 mm
高度
4.57 mm
工作温度
-25℃ ~ 85℃

LM258P 数据手册

TI(德州仪器)
41 页 / 1.88 MByte
TI(德州仪器)
63 页 / 1.14 MByte
TI(德州仪器)
13 页 / 0.31 MByte
TI(德州仪器)
6 页 / 0.52 MByte
TI(德州仪器)
20 页 / 0.43 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.12 MByte

LM258 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
单电源双运算放大器 Single Supply Dual Operational Amplifiers
ON Semiconductor(安森美)
LM 系列 0.6 V/us 32 V 表面贴装 单电源 四通道 运算放大器 - SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronics
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM258DR.  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM258ADR  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronics
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM258P  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
LM 系列Texas Instruments 的一系列通用运算放大器适用于多种使用。 这些设备在非专业应用中提供经济型性能,并提供单路、双路和四路配置。 该系列包括多种通孔和表面安装封装。 运算放大器 LM 系列中的很多设备提供低功耗,且能够采用单电源操作,带包括接地在内的输入共模电压。### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM258ADGKR  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, MSOP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LM258D  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚
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