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LM358N
器件3D模型
1
LM358N 数据手册 (12 页)
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LM358N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
电源电压
32.0V (max)
封装
DIP-8
输出电流
30 mA
供电电流
800 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
共模抑制比
65 dB
转换速率
600 mV/μs
输入补偿电压
2.9 mV
输入偏置电流
45 nA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
共模抑制比(Min)
65 dB
电源电压
3.32 VDC

LM358N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.6 mm
宽度
6.4 mm
高度
3.3 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

LM358N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
14 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

LM358 数据手册

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IDCHIP(英锐芯)
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UTC(友顺)
双路运算放大器、宽电源电压范围、内部频率增益补偿
ST Microelectronics(意法半导体)
低功耗双运算放大器 LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
ON Semiconductor(安森美)
单电源双运算放大器 Single Supply Dual Operational Amplifiers
National Semiconductor(美国国家半导体)
LM358 SOT marking/标记 LM358
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
Estek Electronics(伊泰克电子)
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