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LPV521MG/NOPB
器件3D模型
1.027
LPV521MG/NOPB 数据手册 (33 页)
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LPV521MG/NOPB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
封装
SC-70-5
输出电流
22.0 mA
供电电流
475 nA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
针脚数
5 Position
共模抑制比
75 dB
输入补偿漂移
400 nV/K
带宽
6.2 kHz
转换速率
2.40 mV/μs
增益频宽积
6.2 kHz
输入补偿电压
100 µV
输入偏置电流
.04 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
75 dB
电源电压
1.6V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
1.6 V

LPV521MG/NOPB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.15 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

LPV521MG/NOPB 数据手册

TI(德州仪器)
33 页 / 1.79 MByte
TI(德州仪器)
22 页 / 1.12 MByte
TI(德州仪器)
15 页 / 0.33 MByte

LPV521 数据手册

TI(德州仪器)
350nA 1.6V RRIO 单路 CMOS 输入型毫微功耗运算放大器 5-SC70 -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LPV521MG/NOPB  运算放大器, 6.2 kHz, 1个放大器, 2.7 V/ms, 1.6V 至 5.5V, SC-70, 5 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LPV521MGE/NOPB  运算放大器, 单路, 6.2 kHz, 1个放大器, 0.0024 V/µs, 1.6V 至 5.5V, SC-70, 5 引脚
TI(德州仪器)
1.8V,RRIO,CMOS 输入运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  LPV521MGE  运算放大器, 单路, 6.2 kHz, 1个放大器, 0.0024 V/µs, 1.6V 至 5.5V, SC-70, 5 引脚
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
纳安级功耗, 1.8V , RRIO , CMOS输入运算放大器 Nanopower, 1.8V, RRIO, CMOS Input, Operational Amplifier
National Semiconductor(美国国家半导体)
纳安级功耗, 1.8V , RRIO , CMOS输入运算放大器 Nanopower, 1.8V, RRIO, CMOS Input, Operational Amplifier
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