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MBR20100CT
0.091
MBR20100CT 数据手册 (2 页)
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MBR20100CT 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220

MBR20100CT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
10.28 mm
宽度
4.82 mm
高度
9.28 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃

MBR20100CT 数据手册

MDD(辰达半导体)
2 页 / 0.56 MByte

MBR20100 数据手册

SMC Diode Solutions
Micro Commercial Components(美微科)
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Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
双共阴极高压肖特基整流器 Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
Vishay Semiconductor(威世)
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
Littelfuse(力特)
MBR 系列 (2x) 10 A 100 V 共阴极 肖特基 势垒 整流器 - TO-220AB
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
二极管和整流器,Taiwan Semiconductor
Diodes(美台)
MBR20100CT-G1 管装
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