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MBT3904DW1T1G
0.014
MBT3904DW1T1G 数据手册 (8 页)
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MBT3904DW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
200 mA
封装
SC-70-6
额定功率
150 mW
针脚数
6 Position
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
300
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MBT3904DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MBT3904DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MBT3904DW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-363
Leshan Radio(乐山无线电)
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