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MBT3906DW1T1G
0.023
MBT3906DW1T1G 数据手册 (6 页)
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MBT3906DW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
250 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-40.0 V
额定电流
-200 mA
封装
SC-70-6
额定功率
150 mW
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
6 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MBT3906DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MBT3906DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MBT3906DW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBT3906DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -40 V, 150 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-363
Leshan Radio(乐山无线电)
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