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MBT3946DW1T1G
0.021
MBT3946DW1T1G 数据手册 (11 页)
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MBT3946DW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
200 mA
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
极性
NPN, PNP
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
300
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MBT3946DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MBT3946DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte

MBT3946DW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MBT3946DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363
Leshan Radio(乐山无线电)
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