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MC33079DR2G
器件3D模型
0.232
MC33079DR2G 数据手册 (14 页)
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MC33079DR2G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
封装
SOIC-14
无卤素状态
Halogen Free
输出电流
29 mA
供电电流
8.4 mA
电路数
4 Circuit
通道数
4 Channel
针脚数
14 Position
共模抑制比
80 dB
带宽
16 MHz
转换速率
7.00 V/μs
增益频宽积
16 MHz
输入补偿电压
3.5 mV
输入偏置电流
300 nA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
16 MHz
共模抑制比(Min)
80 dB

MC33079DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
8.75 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

MC33079DR2G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.4 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.61 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
25 页 / 1.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.27 MByte

MC33079DR2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
低噪声双路/四路运算放大器 Low Noise Dual/Quad Operational Amplifiers
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
MC33078、MC33079、低噪声双/四路运算放大器,ON SemiconductorMC33078/9 系列是采用双极技术的单片运算放大器系列,用于音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管,以生产低输入电压噪音、高增益带宽产品和转换速率的放大器。 MC33078/9 系列提供采用塑料 DIP 或 SOIC 封装的双路和四路型号(后缀 P 和 D)。双电源操作:±5 V 至 ±18 V 低电压噪音:4.5 nV/ Hz 低输入偏置电压:0.15 mV 输入偏置电压 输入偏置电压:2 μV/ C 低总谐波畸变:0.002% 高增益带宽产品:16 MHz 高转换速率:7 V/μs 高开环交流增益:800 @ 20 kHz 极佳的频率稳定性 大输出电压摆幅:+14.1 V/ -14.6 V 输入上提供的 ESD 二极管 ### 运算放大器,ON Semiconductor
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