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MJD117T4G
0.314
MJD117T4G 数据手册 (5 页)
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MJD117T4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
2.00 A
封装
TO-252-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
4 Position
极性
PNP
功耗
1.75 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
1000 @2A, 3V
最大电流放大倍数
12000
额定功率(Max)
1.75 W
直流电流增益(hFE)
12000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
25MHz (Min)
耗散功率(Max)
1750 mW

MJD117T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJD117T4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MJD117T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD117T4  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
Motorola(摩托罗拉)
Continental Device
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD117T4G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE
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