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MJD45H11TM
0.33
MJD45H11TM 数据手册 (5 页)
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MJD45H11TM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
40 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-8.00 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
1.75 W
增益频宽积
40 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
最大电流放大倍数
60
额定功率(Max)
1.75 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1750 mW

MJD45H11TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.1 mm
高度
2.3 mm
工作温度
150℃ (TJ)

MJD45H11TM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.13 MByte

MJD45H11 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
互补功率晶体管 Complementary power transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
通用功率和应用的D- PAK表面贴装应用切换如输出或驱动器级 General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications
Motorola(摩托罗拉)
Rectron Semiconductor
Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11RLG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 40 hFE
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