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MJE350 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

STMICROELECTRONICS MJE350 单晶体管双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MJE350 数据手册 (8 页)

封装尺寸在5 页 6 页

MJE350 数据手册 (8 页)

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MJE350 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-300 V

额定电流

-500 mA

封装

TO-126-3

针脚数

3 Position

极性

PNP, P-Channel

功耗

20.8 W

击穿电压(集电极-发射极)

300 V

最小电流放大倍数

30 @50mA, 10V

额定功率(Max)

20.8 W

直流电流增益(hFE)

240

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

2800 mW

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MJE350 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

7.8 mm

宽度

2.7 mm

高度

10.8 mm

工作温度

150℃ (TJ)

View Datasheet >

MJE350 符合标准

MJE350 概述

MJE350 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.58 MByte

MJE350 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

6 页 / 0.13 MByte

MJE350 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.09 MByte

MJE350 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

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