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MMBD301LT1G
0.032
MMBD301LT1G 数据手册 (5 页)
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MMBD301LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
1.00 A
电容
0.9 pF
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
输出电流
≤60.0 mA
正向电压
0.52 V
极性
Standard
功耗
200 mW
正向电流
200 mA
正向电压(Max)
450 mV
正向电流(Max)
200 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

MMBD301LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 125℃ (TJ)

MMBD301LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMBD301LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
硅热载流子探测器和开关二极管 SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBD301LT1G.  肖特基二极管
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