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MMBD6100LT1G
0.021
MMBD6100LT1G 数据手册 (3 页)
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MMBD6100LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
70.0 V
额定电流
200 mA
电容
2.5 pF
封装
SOT-23-3
额定功率
225 mW
无卤素状态
Halogen Free
负载电流
0.2 A
针脚数
3 Position
正向电压
1.1 V
功耗
225 mW
反向恢复时间
4 ns
正向电流
200 mA
最大正向浪涌电流
500 mA
正向电压(Max)
1.1 V
正向电流(Max)
200 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBD6100LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBD6100LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MMBD6100LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
单片双开关二极管 Monolithic Dual Switching Diode
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBD6100LT1G  二极管 小信号, 双共阴极, 70 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA
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