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MMBD7000LT1G
0.014
MMBD7000LT1G 数据手册 (4 页)
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MMBD7000LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
200 mA
电容
1.50 pF
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
负载电流
0.2 A
针脚数
3 Position
正向电压
1.1 V
功耗
300 mW
反向恢复时间
4 ns
正向电流
200 mA
最大正向浪涌电流
500 mA
正向电压(Max)
1.1 V
正向电流(Max)
200 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBD7000LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBD7000LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MMBD7000LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双开关二极管 Dual Switching Diode
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
二极管 - 通用,功率,开关 AF DIODE 100V 0.2A
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Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
双开关二极管 Dual Switching Diode
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ON Semiconductor(安森美)
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