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MMBFJ309LT1G
0.088
MMBFJ309LT1G 数据手册 (7 页)
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MMBFJ309LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-25.0 V
额定电流
30 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
225 mW
无卤素状态
Halogen Free
击穿电压
-25.0 V
极性
N-Channel
功耗
225 mW
输入电容
5 pf
漏源极电压(Vds)
25 V
栅源击穿电压
25.0 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
225 mW
额定电压
25 V

MMBFJ309LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBFJ309LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.29 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

MMBFJ309LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
JFET - VHF / UHF放大器晶体管N通道 JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
MMBFJ309LT1 N沟道结型场效应管 25v 12~30mA SOT-23 marking/标记 GU 射频放大器
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ309LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET
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