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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MMBT2222ALT1G Datasheet 文档
MMBT2222ALT1G
0.009
MMBT2222ALT1G 数据手册 (7 页)
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MMBT2222ALT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
225 mW
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
225 mW
增益频宽积
300 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
300
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT2222ALT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBT2222ALT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MMBT2222ALT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Rectron Semiconductor
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Fairchild(飞兆/仙童)
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