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MMBT2222AWT1G
0.014
MMBT2222AWT1G 数据手册 (6 页)
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MMBT2222AWT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
28.0 A
封装
SC-70-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
300
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MMBT2222AWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT2222AWT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 1.55 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MMBT2222AWT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管 General Purpose Transistor
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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