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MMBT2222LT1G
0.013
MMBT2222LT1G 数据手册 (7 页)
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MMBT2222LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
250 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
600 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
300 mW
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
225 mW
增益频宽积
250 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数
300
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
250
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT2222LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.11 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBT2222LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MMBT2222LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管 General Purpose Transistors
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Rectron Semiconductor
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Philips(飞利浦)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222LT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFE
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