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MMBT2907AWT1G
0.017
MMBT2907AWT1G 数据手册 (6 页)
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MMBT2907AWT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
200 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-600 mA
封装
SC-70-3
额定功率
0.15 W
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
150 mW
增益频宽积
200 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MMBT2907AWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.24 mm
高度
0.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT2907AWT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMBT2907AWT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907AWT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE
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