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MMBT3906LT1G
0.008
MMBT3906LT1G 数据手册 (7 页)
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MMBT3906LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
250 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-40.0 V
额定电流
-200 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
300 mW
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
300
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT3906LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBT3906LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMBT3906LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistor(PNP Silicon)
Infineon(英飞凌)
MMBT3906LT1 PNP三极管 -40V -200mA/-0.2A 250MHz 100~300 -400mV/-0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 2A 高直流电流增益
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Micro Commercial Components(美微科)
Rectron Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
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