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MMBT5401LT1G
0.019
MMBT5401LT1G 数据手册 (6 页)
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MMBT5401LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-150 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
60 @10mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT5401LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBT5401LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMBT5401LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高压晶体管( PNP硅) High Voltage Transistor(PNP Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
CJ(长电科技)
Leshan Radio(乐山无线电)
Micro Commercial Components(美微科)
Rectron Semiconductor
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE
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