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MMBTA13LT1G
0.019
MMBTA13LT1G 数据手册 (6 页)
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MMBTA13LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
125 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
300 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.3A
最小电流放大倍数
10000 @100mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
10000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
125MHz (Min)
耗散功率(Max)
300 mW

MMBTA13LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTA13LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MMBTA13LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿放大器晶体管( NPN硅) Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Rectron Semiconductor
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBTA13LT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE
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