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MMBTA56WT1G
0.021
MMBTA56WT1G 数据手册 (5 页)
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MMBTA56WT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SC-70-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
100 @100mA, 1V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MMBTA56WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTA56WT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte

MMBTA56WT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
驱动晶体管PNP硅 Driver Transistor PNP Silicon
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56WT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -80 V, 50 MHz, 150 mW, -500 mA, 100 hFE 新
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