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MMBZ20VALT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

TVS二极管

封装:

SOT-23-3

描述:

On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器特别适用于自动插入低泄漏

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBZ20VALT1G 数据手册 (17 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在13 页

典型应用电路图在12 页

MMBZ20VALT1G 数据手册 (17 页)

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MMBZ20VALT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

1 A

封装

SOT-23-3

额定功率

40.0 W

击穿电压

20 V

通道数

2 Channel

针脚数

3 Position

功耗

40 W

钳位电压

28 V

测试电流

1 mA

最大反向击穿电压

21 V

脉冲峰值功率

40 W

最小反向击穿电压

19 V

击穿电压

19 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max)

300 mW

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MMBZ20VALT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

View Datasheet >

MMBZ20VALT1G 符合标准

MMBZ20VALT1G 海关信息

MMBZ20VALT1G 概述

MMBZ20VALT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 0.47 MByte

MMBZ20VALT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.15 MByte

MMBZ20VALT1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

MMBZ20VALT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.15 MByte

MMBZ20VALT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.17 MByte

MMBZ20VALT1G 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.24 MByte

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