￥ 0.021

MMBZ5V6ALT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

TVS二极管

封装:

SOT-23-3

描述:

24W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBZ5V6ALT1G 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

MMBZ5V6ALT1G 数据手册 (7 页)

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MMBZ5V6ALT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

5.60 V

工作电压

3 V

额定电流

20.0 A

封装

SOT-23-3

额定功率

24.0 W

击穿电压

5.32 V

通道数

2 Channel

针脚数

3 Position

正向电压

0.9 V

功耗

300 mW

钳位电压

8 V

测试电流

20 mA

最大反向击穿电压

5.88 V

脉冲峰值功率

24 W

最小反向击穿电压

5.32 V

击穿电压

5.32 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max)

300 mW

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MMBZ5V6ALT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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MMBZ5V6ALT1G 符合标准

MMBZ5V6ALT1G 海关信息

MMBZ5V6ALT1G 概述