￥ 0.024

MUN5214DW1T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-363

描述:

ON SEMICONDUCTOR MUN5214DW1T1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SOT-363

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MUN5214DW1T1G 数据手册 (8 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在6 页 7 页 8 页

MUN5214DW1T1G 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MUN5214DW1T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

100 mA

封装

SOT-363

无卤素状态

Halogen Free

极性

NPN

功耗

0.385 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

250 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

256 mW

View Datasheet >

MUN5214DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

View Datasheet >

MUN5214DW1T1G 符合标准

MUN5214DW1T1G 海关信息

MUN5214DW1T1G 概述

MUN5214DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.08 MByte

MUN5214DW1T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.15 MByte

MUN5214DW1T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.05 MByte

MUN5214DW1T1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.14 MByte

MUN5214DW1T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

MUN5214DW1T1 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

MUN5214DW1T1 数据手册

Leshan Radio（乐山无线电）

MUN5214DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MUN5214DW1T1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SOT-363

MUN5214DW1T1G 数据手册

Leshan Radio（乐山无线电）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号