Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > NDC7001C Datasheet 文档
NDC7001C
1.104
NDC7001C 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NDC7001C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电流
350 mA
封装
TSOT-23-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
1 Ω
极性
N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel
功耗
960 mW
阈值电压
2.1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
510 mA
输入电容值(Ciss)
20pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.96 W

NDC7001C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NDC7001C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.48 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

NDC7001 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双N和P沟道增强型场效应晶体管 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDC7001C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 340 mA, 50 V, 1 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET NDC7001C, 340 mA,510 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
TI(德州仪器)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z