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NE5532DR
器件3D模型
0.103
NE5532DR 数据手册 (23 页)
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NE5532DR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
18.0 V
工作电压
5V ~ 15V
封装
SOIC-8
供电电流
8 mA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
共模抑制比
70dB ~ 100dB
输入补偿漂移
0.00 V/K
带宽
10 MHz
转换速率
9.00 V/μs
增益频宽积
10 MHz
输入补偿电压
500 µV
输入偏置电流
200 nA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
10 MHz
共模抑制比(Min)
70 dB
电源电压(Max)
30 V
电源电压(Min)
10 V

NE5532DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

NE5532DR 数据手册

TI(德州仪器)
23 页 / 0.94 MByte
TI(德州仪器)
152 页 / 5.85 MByte
TI(德州仪器)
11 页 / 0.13 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.13 MByte

NE5532 数据手册

TI(德州仪器)
双路低噪声高速音频运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  NE5532P  运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 9 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, DIP, 8 引脚
TI(德州仪器)
Texas Instruments
TI(德州仪器)
双路低噪声运算放大器 DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
Texas Instruments
TI(德州仪器)
Texas Instruments
TI(德州仪器)
双路低噪声运算放大器 DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NE5532DR2G  运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 9 V/µs, ± 3V 至 ± 20V, WSOIC, 16 引脚
ON Semiconductor(安森美)
NE5532、SE5532、内部补偿、低噪声双运算放大器,ON SemiconductorON Semiconductor NE5532/SE5532 是双高性能低噪音运算放大器。 这些运算放大器适用于高质量的专业音频设备、仪器仪表和控制电路以及电话信道放大器应用。 它们对等于一的收益予以内部补偿。 如果低噪音在您的设计中至关重要,建议使用“A”后缀型号,因为它们保证了噪音电压规格。小信号带宽:10 MHz 输出驱动能力:600 Ω,10 V 有效值 输入噪音电压:5.0 nV/平方根赫兹(典型) 直流电压增益:50000 交流电压增益:10 kHz 时为 2200 功率带宽:140 kHz 高转换速率:9.0 V/μs 大电源电压范围:±3.0 至 ±20 V 单位增益补偿 ### 运算放大器,ON Semiconductor
TI(德州仪器)
Texas Instruments
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