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NJW21193G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-3-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NJW21193G 单晶体管双极, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 8 hFE 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NJW21193G 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

NJW21193G 数据手册 (8 页)

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NJW21193G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

4 MHz

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

针脚数

3 Position

极性

PNP

功耗

200 W

击穿电压(集电极-发射极)

250 V

集电极最大允许电流

16A

最小电流放大倍数

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

200 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

200 mW

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NJW21193G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

15.8 mm

宽度

5 mm

高度

20.1 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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NJW21193G 符合标准

NJW21193G 海关信息

NJW21193G 概述

NJW21193G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.17 MByte

NJW21193G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 1.67 MByte

NJW21193G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.04 MByte

NJW21193G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.12 MByte

NJW21193G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 1.57 MByte

NJW21193 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

NJW21193G 数据手册

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