￥ 0.439

NTD5867NLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD5867NLT4G 数据手册 (8 页)

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NTD5867NLT4G 数据手册 (8 页)

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NTD5867NLT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.026 Ω

极性

N-Channel

功耗

36 W

阈值电压

1.8 V

输入电容

675 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

上升时间

12.6 ns

输入电容值(Ciss)

675pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

36 W

下降时间

2.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

36W (Tc)

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NTD5867NLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTD5867NLT4G 符合标准

NTD5867NLT4G 海关信息

NTD5867NLT4G 概述