Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > NTJD4401NT1G Datasheet 文档
NTJD4401NT1G
0.052
NTJD4401NT1G 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NTJD4401NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
630 mA
封装
SC-70-6
通道数
2 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.29 Ω
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
270 mW
阈值电压
920 mV
输入电容
33pF @20V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
27 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
630 mA
上升时间
227 ns
反向恢复时间
410 ns
正向电压(Max)
1.1 V
输入电容值(Ciss)
46pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
270 mW
下降时间
506 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)
550 mW

NTJD4401NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTJD4401NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

NTJD4401NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NTJD4401NT1 复合场效应管 20V 630mA/0.63A SOT-363/SC70-6/SC-88 marking/标记 TDX ESD保护 负载开关
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTJD4401NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z