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NTR4003NT1G
0.043
NTR4003NT1G 数据手册 (9 页)
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NTR4003NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
830 mW
阈值电压
1.4 V
输入电容
21 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
560 mA
上升时间
47.9 ns
输入电容值(Ciss)
21pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
690 mW
下降时间
64.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
690mW (Ta)

NTR4003NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTR4003NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.6 MByte

NTR4003NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTR4003NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 560 mA, 30 V, 1.5 ohm, 4 V, 1.4 V
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