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NTR4502PT1G
0.061
NTR4502PT1G 数据手册 (10 页)
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NTR4502PT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-1.95 A
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.25 W
阈值电压
3 V
输入电容
200 pF
栅电荷
10.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.95 mA, 1.95 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
200pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
400 mW
下降时间
17.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400 mW

NTR4502PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTR4502PT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.84 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

NTR4502PT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -30 V, -1.95 A单, P沟道, SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTR4502PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.95 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -3 V
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