￥ 0.083

PMV16XNR 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

封装:

SOT-23-3

描述:

6.8A, N-MOS, 近似物料：PMV31XN

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PMV16XNR 数据手册 (16 页)

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封装尺寸在10 页

PMV16XNR 数据手册 (16 页)

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PMV16XNR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.016 Ω

功耗

1.2 W

阈值电压

400 mV

输入电容

1240 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

24 ns

输入电容值(Ciss)

1240pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

510 mW

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

510mW (Ta), 6.94W (Tc)

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PMV16XNR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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PMV16XNR 符合标准

PMV16XNR 概述

PMV16XNR 数据手册

Nexperia（安世）

16 页 / 0.7 MByte

PMV16XNR 其他数据使用手册

Nexperia（安世）

15 页 / 0.25 MByte

PMV16 数据手册

PMV16XNR 数据手册

Nexperia（安世）

6.8A, N-MOS, 近似物料：PMV31XN

PMV160UP,215 数据手册

Nexperia（安世）

Nexperia Si P沟道 MOSFET PMV160UP,215, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装

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NXP PMV160UP 晶体管, MOSFET, 沟, P沟道, -1.2 A, -20 V, 0.17 ohm, -4.5 V, -700 mV 新

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NXP PMV16UN 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 700 mV

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