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RBO08-40G
1.157
RBO08-40G 数据手册 (9 页)
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RBO08-40G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
击穿电压
24 V
针脚数
3 Position
正向电压
1.5 V
功耗
1.5 kW
钳位电压
40 V
最大反向击穿电压
32 V
脉冲峰值功率
600 W
最小反向击穿电压
24 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
40 ℃

RBO08-40G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.35 mm
宽度
10.28 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

RBO08-40G 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.29 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.04 MByte

RBO0840 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
STMicroelectronicsRBOxx ASD 设备设计用于防止汽车应用中的电池反接和负载突卸过电压。Transil 保护,防止“负载突卸”脉冲 8A 或 40A 系列二极管,防止电池反接损坏 钳位电压:最高 ±40V **RS 产品代码** 686-7486 RBO08-40G 8A D2PAK 249-252 RBO40-40G 40A D2PAK 877-2813 RBO40-40G-TR 40A D2PAK 919-6352 RBO40-40G 40A D2PAK(每包 50 个) ### 标准ISO/DTR 7637-2### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
反向电源和过电压保护 REVERSED BATTERY AND OVERVOLTAGE PROTECTION
ST Microelectronics(意法半导体)
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