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RK7002BMT116
0.009
RK7002BMT116 数据手册 (6 页)
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RK7002BMT116 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.7 Ω
极性
N-Channel
功耗
0.35 W
阈值电压
2.3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
5 ns
正向电压(Max)
1.2 V
输入电容值(Ciss)
15pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 mW
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200mW (Ta)

RK7002BMT116 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.1 mm
宽度
1.5 mm
高度
1.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

RK7002BMT116 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
6 页 / 0.28 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.41 MByte

RK7002 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RK7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKM 低的RDS/栅极电荷
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N沟道 60 V 0.2 W 表面贴装 2.5 V 驱动 硅 功率 Mosfet - SOT-23
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RK7002T116  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
场效应管(MOSFET) RK7002AT116 SOT-23-3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RK7002A N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKS 快速开关/低RDS
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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