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Datasheet 搜索 > 逻辑芯片 > TI(德州仪器) > SN74LVC1G06DCKR Datasheet 文档
SN74LVC1G06DCKR
0.063
SN74LVC1G06DCKR 数据手册 (30 页)
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SN74LVC1G06DCKR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
电源电压
5.00 V
封装
SC-70-5
输出接口数
1 Output
输出电流
32.0 mA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
针脚数
5 Position
位数
1 Bit
传送延迟时间
3.00 ns
逻辑门数量
1 Gate
输入数
1 Input
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
1.65V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
1.65 V

SN74LVC1G06DCKR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

SN74LVC1G06DCKR 数据手册

TI(德州仪器)
30 页 / 1.29 MByte
TI(德州仪器)
2 页 / 0.12 MByte
TI(德州仪器)
8 页 / 0.2 MByte

SN74LVC1G06 数据手册

TI(德州仪器)
具有漏极开路输出的单路反向器缓冲器/驱动器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G06DCKR  逻辑芯片, 单路反相缓冲器/驱动器, SC70-5
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G06DCKT  非门, LVC系列, 1门, 1输入, 32 mA, 1.65V至5.5V, SC-70-5
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G06DBVR.  芯片, 反相缓冲器, SOT-23-5, 整卷
TI(德州仪器)
单个逆变器缓冲器/驱动器,具有漏极开路输出 SINGLE INVERTER BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G06DRLR.  逻辑芯片, 缓冲器 / 线驱动器, 反相, 5.5V, SOT-553
TI(德州仪器)
单个逆变器缓冲器/驱动器,具有漏极开路输出 SINGLE INVERTER BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
TI(德州仪器)
单个逆变器缓冲器/驱动器,具有漏极开路输出 SINGLE INVERTER BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
TI(德州仪器)
单个逆变器缓冲器/驱动器,具有漏极开路输出 SINGLE INVERTER BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
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